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Typical Characteristics
(continued)
10
8
I D = -1.8A
V DS =-5.0V
300
240
f=1MHz
V GS =0V
6
4
-15V
-10V
180
120
C iss
2
0
60
0
C oss
C rss
0
1
2
3
4
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
30
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
IMI
1m
100
10
3
RD
S(O
N
)L
T
s
us
4
SINGLE PULSE
R θ JA =180°C/W
T A = 25°C
10m
0m
1s
1
0.3
0.1
0.03
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
10
DC
s
s
3
2
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0.01
0.1
1
10
100
300
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA =180°C/W
0.05
0.05
t 1
t 2
0.02
0.01
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.02
0.01
Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC6506P Rev. C
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